用异质结制做晶体管时，由于异质发射结的注入效率高，基区电阻小，可使频率响应提高很多，也有很大前途。当器件尺寸不断缩小时，热载流子可以不受碰撞飞过有源区，将出现利用弹道效应的高速、高频晶体管。InP材料的电子负微分迁移率效应比砷化镓更为显著，阈值电场更低，用InP将做出性能更好的电子转移器件。利用分子束外延等新技术可以制备超晶格材料、空间调制掺杂材料、各种理想的异质结等新结构的材料。
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